AI產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮，以GPT-4及 DeepSeek AI為代表的大模型，引爆了市場(chǎng)需求。而訓練和運行這些超大規模模型，需要芯片具備強大的并行計算能力，其數據處理量龐大，運算復雜度極高。采用Chiplet（芯粒）先進(jìn)封裝技術(shù)，可以將高性能計算芯粒、大容量?jì)却嫘玖Ｒ约案咚買(mǎi)/O芯粒等集成在一起，構建出強大的AI算力芯片，提供更高的計算性能和數據處理能力，滿(mǎn)足云計算平臺對大規模數據存儲和快速計算的需求。

　　甬矽電子始終堅定不移地踐行技術(shù)創(chuàng )新戰略，以前瞻性的布局切入先進(jìn)封裝領(lǐng)域，自主構建的FHBSAP （Forehope - Brick - Style Advanced Package）積木式先進(jìn)封裝技術(shù)平臺取得一系列的技術(shù)突破。

　　甬矽電子 FHBSAP 技術(shù)平臺成功攻克諸多技術(shù)難關(guān)，創(chuàng )新性地開(kāi)發(fā)一系列前沿先進(jìn)封裝技術(shù)成果，涵蓋RWLP系列（晶圓級重構封裝，Fan-out 扇出封裝）、HCOS系列（2.5D晶圓級/基板上異構封裝）、Vertical系列（晶圓級垂直芯片堆棧封裝）等，精準適配Fan-out（FO）、2.5D/3D先進(jìn)晶圓級封裝等多元化先進(jìn)封裝技術(shù)需求，為行業(yè)發(fā)展注入強勁動(dòng)力。

　　RWLP系列（晶圓級重構封裝、FO）

　　涵蓋RWLP-D & RWLP-U，可以實(shí)現芯片采用Face-down & Face-up貼裝方式進(jìn)行晶圓重構及拓展RDL、Bumping晶圓級封裝，能夠有效提升芯片的集成度和性能。RWLP系列技術(shù)在優(yōu)化封裝工藝、提高封裝效率方面取得了顯著(zhù)進(jìn)展，為芯片的小型化、高性能化提供了有力支撐。

　　HCOS系列（2.5D晶圓級/基板上異構封裝）

　　涵蓋HCOS-OR/OT/SI/AI，致力于實(shí)現異構整合的不同模塊小芯粒制造工藝或采用不同襯底材料（TSV interposer / RDL interposer / Si bridge等）作為轉接板構建的高效Chiplet異構封裝，能夠將具有不同功能和制程的芯片集成在一起，充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢，實(shí)現系統性能的最大化，滿(mǎn)足多樣化應用需求的重要趨勢。這一技術(shù)的突破，使得在應對如AI、高性能計算（HPC）等對芯片性能要求極高的應用場(chǎng)景時(shí)，具備了更強的競爭力。

　　Vertical系列（晶圓級垂直芯片堆棧封裝）

　　涵蓋VMCS& VSHDC，垂直芯片堆棧封裝技術(shù)通過(guò)將芯片進(jìn)行垂直堆疊（TSV / Micro bump / TCB …等），有效縮短了芯片間的信號傳輸距離，提高了信號傳輸速度，同時(shí)降低了功耗。這種封裝方式能夠在有限的空間內實(shí)現更高的芯片集成密度，為實(shí)現芯片的高性能、低功耗運行提供了可能。

　　FHBSAP 積木式先進(jìn)封裝技術(shù)平臺展現出了卓越的技術(shù)實(shí)力與廣泛的應用潛能。憑借所提供的低密度到高密度集成、更高密度互聯(lián)和高可靠性性能解決方案，為算力密集型、數據高速傳輸等的應用場(chǎng)景筑牢根基，確保系統在運行過(guò)程中各芯片間能夠以超高帶寬、超低延遲進(jìn)行數據交互，極大提升在HPC、AI、高帶寬存儲器（HBM）以及5G通訊等前沿領(lǐng)域的使用體驗，推動(dòng)公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入穩步提升，增強公司的技術(shù)競爭優(yōu)勢和持續盈利能力。