中信建投:端側AI爆發(fā)可期 國產(chǎn)高端產(chǎn)能亟需突破
中信建投(601066)發(fā)布研報稱(chēng),端側AI應用商業(yè)化提速,AI手機、AIPC滲透率快速提升,智能車(chē)、機器人、可穿戴(XR、AI眼鏡、耳機)、智能家居等正進(jìn)行AI化升級。AI快速迭代帶來(lái)算力需求快速增長(cháng),先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝、先進(jìn)存儲需求高漲,相關(guān)廠(chǎng)商積極擴產(chǎn)。國內傳統半導體的國產(chǎn)化率較高,但高端芯片自給受限,高端產(chǎn)能亟需突破,重點(diǎn)關(guān)注國產(chǎn)先進(jìn)制程、先進(jìn)存儲、先進(jìn)封裝、核心設備材料、EDA軟件等。該行認為,2025年應當關(guān)注兩大主題:(1)AI算力;(2)半導體國產(chǎn)替代。
中信建投主要觀(guān)點(diǎn)如下:
一、算力成本降低,催化推理需求,端側AI爆發(fā)可期
算力成本大幅降低,在云側端側的賦能顯現。年初Deepseek發(fā)布R1,性能媲美OpenAI o1,并通過(guò)諸多優(yōu)化手段實(shí)現了算力成本的大幅降低,成本降低為推理應用突破提供了基礎。在云側,隨著(zhù)大模型能力持續突破,AI在頭部CSP的實(shí)際收入、用戶(hù)行為和產(chǎn)品力提升方面也在深度介入。在端側,移動(dòng)設備的硬件升級、大模型的壓縮技術(shù)等正在推動(dòng)端側模型落地。
GB200、ASIC放量,AI硬件需求持續擴張。英偉達GB200、CSP自研ASIC放量,下一代GB300即將量產(chǎn),同時(shí)HBM4/4e也將落地,算力硬件快速迭代。AI算力加速了對先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝、先進(jìn)存儲的需求,以GPU、CoWoS/SoIC、HBM、高速PCB、光模塊為代表的算力需求持續擴張,供應商大力擴產(chǎn),預計2025年AI硬件產(chǎn)業(yè)維持高景氣。
端側AI開(kāi)始加速,終端出貨爆發(fā)可期。端側AI帶來(lái)成本、能耗、可靠性、隱私、安全和個(gè)性化優(yōu)勢,已經(jīng)具備實(shí)踐基礎,終端設備有望在A(yíng)I的催化下迎來(lái)新一輪創(chuàng )新周期。從終端看,先落地、成規模的終端是手機和PC,硬件上其2024年AI滲透率分別為18%、32%,預計手機AI化比率持續提升,持續推動(dòng)硬件升級。此外,智能車(chē)、機器人、可穿戴(XR、AI眼鏡、耳機)、智能家居等也正在融入AI,2025-2026年有望看到終端出貨的爆發(fā)式增長(cháng)。
二、AI引領(lǐng)半導體周期,國產(chǎn)高端產(chǎn)能亟需突破
本輪半導體周期,核心需求是AI。2023-2024年,AI需求集中在云端,大模型的迭代演進(jìn)拉動(dòng)算力基礎設施需求快速增長(cháng),GPU、HBM幾乎一年迭代一個(gè)代際,配套的網(wǎng)卡、光模塊、散熱、銅纜/PCB等亦是如此。隨后,AI進(jìn)入端側,手機、電腦的AI化快速推進(jìn),可穿戴、工業(yè)、汽車(chē)等也在A(yíng)I化升級。該產(chǎn)業(yè)趨勢中率先受益的是上游硬件:GPU/SoC、存儲、PCB、制造代工、設備材料等。
國產(chǎn)算力自給受限,高端產(chǎn)能亟需突破。當前,海外先進(jìn)制造、先進(jìn)封裝代工產(chǎn)能難以獲取,國產(chǎn)算力產(chǎn)業(yè)鏈仍在奮力追趕,關(guān)鍵環(huán)節處于“強需求、弱供給”的狀態(tài)。雖然國內半導體國產(chǎn)化率在過(guò)去幾年持續提升,但是核心環(huán)節國產(chǎn)化率仍然較低,如高端芯片的生產(chǎn)制造、先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)、關(guān)鍵設備材料的攻關(guān)、EDA軟件的開(kāi)發(fā)等。在傳統半導體國產(chǎn)化已有一定基礎的情況下,先進(jìn)制程、先進(jìn)存儲、先進(jìn)封裝、核心設備材料、EDA軟件的國產(chǎn)化仍有較大提升空間。
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