中信證券發(fā)布研報稱(chēng)，25Q2主流存儲與利基DRAM漲價(jià)，預計Q2主要存儲廠(chǎng)商收入環(huán)比增長(cháng)，存儲模組廠(chǎng)迎來(lái)盈利拐點(diǎn);預計25Q3存儲價(jià)格有望維持環(huán)增態(tài)勢。1)DDR4內存條漲價(jià)邏輯下，重點(diǎn)推薦存儲芯片設計廠(chǎng)商;此外，建議關(guān)注存儲模組分銷(xiāo)商，模組廠(chǎng)商。2)部分DDR4價(jià)格大漲后超過(guò)DDR5價(jià)格，疊加原廠(chǎng)逐步退出DDR4，DDR5滲透率有望加快提升。

　　中信證券主要觀(guān)點(diǎn)如下：

　　價(jià)格回顧(Bloomberg，CFM閃存市場(chǎng))

　　 DRAM：DDR5溫和上漲，DDR4受原廠(chǎng)加速減產(chǎn)影響漲幅超預期。1)DDR5：5月現貨環(huán)比+2%，6月至今低個(gè)位數漲幅。顆�，F貨和合約價(jià)格保持溫和上漲，4-5月DDR58Gb合約價(jià)上漲約2%，DDR516Gb現貨價(jià)上漲約7%。2)DDR4：5月現貨環(huán)比+9%~+37%，6月至今漲幅達17%~37%。海外大廠(chǎng)聚焦高利潤率的DDR5、HBM，壓縮DDR3/DDR4供給，TrendForce預計最后出貨時(shí)間為2026年初。25Q2，隨著(zhù)原廠(chǎng)加速退出DDR4供應、下游緊急拉貨，5月DDR48/16Gb顆�，F貨價(jià)格平均漲幅超30%。

　　 NAND Flash：原廠(chǎng)減產(chǎn)效果已顯現，價(jià)格溫和上漲。5月NAND Flash(Wafer)TLC價(jià)格環(huán)比漲幅低個(gè)位數，6月至今價(jià)格基本保持穩定。海外大廠(chǎng)自2024年12月以來(lái)陸續公告減產(chǎn)10%~15%，同時(shí)加快將產(chǎn)能向200層以上產(chǎn)品遷移，進(jìn)而減少低價(jià)產(chǎn)品的供應量，3月TLC價(jià)格轉漲(漲幅6%~14%)、SSD同步上漲，行業(yè)供需在25Q1加速平衡。需求方面，北美CSP廠(chǎng)商持續投入，帶動(dòng)企業(yè)級SSD需求持續提升。進(jìn)入5月，TLC價(jià)格溫和上漲，6月價(jià)格基本穩定。

　　模組：DDR5內存條、SSD、移動(dòng)存儲價(jià)格相對穩定，DDR4內存條大幅上漲。1)內存條：5-6月DDR5合約價(jià)格環(huán)比持平，現貨價(jià)格高個(gè)位數上漲;DDR4行業(yè)、渠道市場(chǎng)價(jià)格上漲20%~64%。2)SSD：5-6月行業(yè)、渠道市場(chǎng)價(jià)格小幅回落(-3%~0%)。3)移動(dòng)存儲：消費市場(chǎng)需求整體穩定，5-6月UFS、eMMC價(jià)格溫和上漲(0%~14%)。

　　價(jià)格展望：預計25Q3DDR5、NAND溫和上漲，DDR4漲幅8%~13%。

　　1)對于DRAM，預計在企業(yè)級需求旺盛、消費電子旺季下DDR5價(jià)格有望保持溫和上漲，DDR4在供給確定持續收縮的背景下，預期性的備貨需求有望推動(dòng)價(jià)格在三季度繼續上漲;TrendForce預測，25Q3DDR4PC/Server內存模組合約價(jià)格將分別上漲18%~23%/8%~13%。

　　2)對于NAND Flash，預計在原廠(chǎng)減產(chǎn)效果下，NAND價(jià)格有望保持溫和上漲;根據TrendForce，25Q2/Q3NAND Flash Wafer價(jià)格分別上漲3%~8%/5%~10%。

　　3)利基存儲，預計25Q3SLC NAND Flash價(jià)格有望實(shí)現雙位數上漲，NOR Flash價(jià)格保持平穩。

　　風(fēng)險因素：

　　國際宏觀(guān)政治經(jīng)濟波動(dòng);下游需求走弱;面板價(jià)格提升不及預期;行業(yè)競爭激烈;技術(shù)革新風(fēng)險等;國際貿易摩擦風(fēng)險;海外潛在關(guān)稅風(fēng)險。